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代換VSP014N10MS型號參數的USB快充適配器電源國產MOS管：FHN60N1F10LA！

文章作者：飛虹電子瀏覽量：2377 類型：行業資訊日期：2022-02-11 17:40:41 分享：

  在實際使用中整流同步的MOS管，可以保證在快充電源提高電壓來達到高電流高功率充電時的用電安全性。而低電壓高電流充電的“閃充”對整流同步的MOS管要求更為嚴苛，因此MOS管用量也呈上升趨勢。常見的VSP014N10MS型號可用什么型號來替代使用呢？

  對于USB快充適配器電源，其開發的電源電路中該如何選擇一款優質的MOS管才能使產品更穩定？除了優質的產品參數外，穩定可持續供貨能力也是非常重要的。

  對于60A電流、100V電壓參數的MOS管，能比較好的使用在USB快充適配器電源中。市場上能持續供貨的就有FHN60N1F10LA這款產品，它可替代VSP014N10MS、AON6224、ZMS100N10N三款場效應管使用的國產MOS管。

  其中它的參數決定它能夠進行替換VSP014N10MS型號參數，讓USB快充適配器電源更安全。它是由國內專注研發19年的MOS管廠家生產，它作為MOS管源頭廠家生產的產品，是可以替換VSP014N10MS型號參數的場效應管。

  對于USB快充適配器電源廠家來說，產品的安全性是非常重要的。因此選擇一款保障安全、優質的MOS管來替換VSP014N10MS、AON6224、ZMS100N10N這幾類型號使用是至關重要的。

  如今國內經過幾十年的電子產業發展，優質的FHN60N1F10LA國產場效應管已經能比較好的代換VSP014N10MS型號參數在USB快充適配器電源中使用。為什么？

  我們來看看飛虹這款FHN60N1F10LA的具體產品參數，具有60A、100V的電流、電壓，RDS(on) = 10mΩtyp) ，最高柵源電壓@VGS =±20 V，100% EAS測試，FHN60N1F10LAMOS管100% Rg測試，100% DVDS熱阻測試，一致性高，高可靠性，開關速度快，極低的導通內阻RDS(on)，優秀的品質因子FOM(RDS(on)*Qg)，損耗低。

  60N1F10的封裝形式會有PDFN5×6。這款產品參數：Vgs（±V）：20；VTH（V）：1.2-2.4；ID（A）：60A；BVdss（V）：100V。

  最大脈沖漏極電流（IDM ）：240（A）、靜態導通電阻（typ）：10mΩ/12.5mΩ、反向傳輸電容：11pF。

  在國產化的場效應管替換使用過程中，FHN60N1F10LAMOS管飛虹國產型號：FHN60N1F10LA型號參數來替換AON6224型號。它采用SGT工藝來獲得極低的RDSON導通內阻和優秀的品質因子FOM(RDSON*Qg)，可實現快速硬開關和有效提高了轉換效率，PDFN5×6-8L封裝產品廣泛應用于AC/DC和 USB PD快充適配器電源和DC/DC轉換器的二次側同步整流，BLDC電機驅動等；在使用方面是匹配型號AON6224、VSP014N10MS、ZMS100N10N的場效應管。

100V、60A 的MOS管替換使用，選對的型號參數是很重要。飛虹已獲得實用專利及發明15項，并與中山大學、中科院合作研發GaN器件。飛虹產品已經在USB PD 快充電源、DC/DC轉換器、BLDC電機驅動中獲得廣泛應用，幫助合作伙伴解決符合國情、符合國際質量的國內優質產品。除提供免費試樣外，更可根據客戶需求進行量身定制MOS管產品。直接百度輸入“飛虹MOS管廠家”即可找到我們，免費試樣熱線：400-831-6077。

熱門標簽：FHN60N1F10LAMOS管

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