新技術的挑戰，如何根據參數選擇MOS管？

近年來，隨著汽車、通信、能源、消費、綠色工業等大量應用MOSFET產品的行業在近幾年來得到了快速的發展，功率MOSFET更是備受關注。技術一直在進步，功率MOSFET市場逐漸受到了新技術的挑戰。例如，業內有不少公司已經開始研發GaN功率器件，不過，GaN 對功率MOSFET市場的挑戰還處于非常初期的階段，MOSFET在技術成熟度、供應量等方面仍然占據明顯的優勢，經過三十多年的發展，MOSFET市場 也不會輕易被新技術迅速替代，MOSFET仍會占據主導的位置。

MOSFET也是眾多剛入行的工程師都會接觸到的器件，作為電氣系統中的基本部件，工程師如何根據參數做出正確選擇呢？

MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道MOSFET,這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到 總線及負載接地時，就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET,這也是出于對電壓驅動的考慮。

例如：在開關電源應用中，DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依靠兩個MOSFET來執行開關功能，開關電源中第二重要的MOSFET參數包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。

電壓和電流的選擇。必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS.設計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備（如電機 或變壓器）誘發的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設備為20V、FPGA電源為20~30V、85~220VAC應用為450~600V。

對便攜式設計來說，采用較低的電壓比較容易，而對于工業設計，可采用較高的電壓。注意RDS（ON）電阻會隨著電流輕微上升。

最后就是散熱要求了，設計人員必須考慮兩種不同的情況，即最壞情況和真實情況。建議采用針對最壞情況的計算結果，因為這個結果提供更大的安全余量，能 確保系統不會失效。

MOSFET的應用領域非常廣泛，遠非一兩篇文章可以概括。專業的產品還得專業的人來做，不了解怎么選擇型號的可以咨詢飛虹哦。

廣州飛虹主要研發、生產、經營：場效應管、三極管等半導體器件，專注大功率MOS管制造15年，咨詢熱線： 400-831-6077。