一個好的MOSFET管驅動電路應該具備什么要求才達到標準？

開關電源由于體積小、重量輕、效率高等優點,應用已越來越普及。MOSFET由于開關速度快、易并聯、所需驅動功率低等優點已成為開關電源最常用的功率開關器件之一。而驅動電路的好壞直接影響開關電源工作的可靠性及性能指標。

那么一個好的MOSFET驅動電路又有什么要求呢？

(1)開關管開通瞬時,驅動電路應能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值,保證開關管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩;

(2)開關管導通期間驅動電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩定使可靠導通;

(3)關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放,保證開關管能快速關斷;

(4)關斷期間驅動電路最好能提供一定的負電壓避免受到干擾產生誤導通;

(5)另外要求驅動電路結構簡單可靠,損耗小,最好有隔離。

不管是NMOS還是PMOS，導通后都有導通電阻存在，因而在DS間流過電流的同時，兩端還會有電壓(如2SK3418特性圖所示)，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。

MOS在導通和截止的時候，MOSFET管廠家一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內，MOSFET管廠家MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，損失也越大。想要了解詳情，請咨詢廣州飛虹熱線：400-831-6077。